CRSQ027N10N транзистор MOSFET (N-Channel) 100V; 230A; 454W; 0.27 Ohm) TO247 CRMICRO
- В наличии
- Код: CRSQ027N10N kh or
93,90 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
CRSQ027N10N транзистор MOSFET (N-Channel) 100V; 230A; 454W; 0.27 Ohm) TO247
Потужний N-канальний MOSFET транзистор CRSQ027N10N (100V, 230A, TO-247)
CRSQ027N10N — це високоефективний силовий N-канальний польовий транзистор (MOSFET), виготовлений за передовими технологіями, що забезпечують наднизький опір у відкритому стані ($R_{DS(on)}$) та мінімальний заряд затвора. Транзистор розрахований на роботу з високими струмами (до 230 А) та напругою до 100 В.
Завдяки надійному силовому корпусу TO-247, компонент гарантує відмінне відведення тепла за умови використання радіатора, що робить його ідеальним вибором для високонавантажених схем та систем з високим коефіцієнтом корисної дії (ККД).
Основні технічні характеристики:
-
Тип транзистора: N-канал (N-Channel)
-
Максимальна напруга стік-витік ($V_{DSS}$): 100 В
-
Максимальний струм стоку ($I_D$): 230 А (при відповідному охолодженні)
-
Гранично низький опір відкритого каналу ($R_{DS(on)}$): ~2.3–2.7 мОм (типове значення, забезпечує мінімальні втрати потужності)
-
Тип корпусу: TO-247 (вивідний монтаж, THT)
-
Діапазон робочих температур: від $-55^\circ\text{C}$ до $+175^\circ\text{C}$
-
Максимальна розсіювана потужність ($P_{tot}$ або $P_d$): 454 Вт (при температурі корпусу $T_C = 25^\circ\text{C}$ та за умови встановлення на ідеальний радіатор).
Сфера застосування:
Завдяки своїм винятковим характеристикам, MOSFET CRSQ027N10N широко застосовується у сферах, де потрібна висока надійність та комутація великих струмів:
-
Потужні інвертори та перетворювачі напруги (DC/DC та AC/DC).
-
Контролери електродвигунів змінного та постійного струму (контролери для електровелосипедів, електросамокатів, гіроскутерів).
-
Системи управління акумуляторними батареями (BMS плати високої потужності).
-
Джерела безперебійного живлення (UPS).
-
Промислові імпульсні блоки живлення та зварювальні інвертори.
|
|
|
|
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Micro |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Канал транзистора | N-канал |
| Користувацькi характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 500V 17A |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
- Цена: 93,90 ₴
