влевовправо
2N5415 S транзистор PNP (15мГц, 1A 200V) Ni (TO-39) STMicroelectronics (формовані)
- В наявності
- Код: 2N5415S Nag
68,90 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
2N5415 S транзистор PNP (15мГц, 1A 200V) Ni (TO-39) STMicroelectronics (формовані)В наявності
68,90 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
2N5415S Bipolar Transistor
Характеристики:
| Тип транзистора | PNP | |
| Напруга колектор база, відкритий перехід (Ucb), В | 200 | |
| Напруга колектор емітер, відкритий перехід (Uce), В | 200 | |
| Максимально допустимий струм колектора (Ic), А | 1 | |
| Максимальна потужність (Pмакс), Вт | 10 | |
| Гранична робоча частота (fгран), МГц | 15 | |
| Коефіцієнт підсилення по струму (hfe) | 30 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Product Category: | Bipolar Transistors - BJT | |
| Delivery Restrictions: |
Mouser does not sell this product in your region. |
|
| RoHS: | ||
| Technology: | Si | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package/Case: | TO-39-3 | |
| Transistor Polarity: | PNP | |
| Configuration: | Single | |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 200 V | |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 200 V | |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 4 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V | |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W | |
| Gain Bandwidth Product fT: | 15 MHz | |
| Minimum Operating Temperature: | - 65 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 200 C | |
| Series: | 2N5415 | |
| Packaging: | Bulk | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Continuous Collector Current: | - 1 A | |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 30 | |
| DC Current Gain hFE Max: | 150 | |
| Height: | 1.5 mm | |
| Length: | 9.4 mm | |
| Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors | |
| 100 | ||
| Subcategory: | Transistors | |
| Width: | 9.4 mm |
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Тип біполярного транзистора | P-N-P |
| Матеріал корпусу | Металоскло |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 200 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 1 А |
| Тип монтажу | Ручний монтаж |
| Користувальницькі характеристики | |
| Виконання | Дискретне |
| Технічний опис: | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 68,90 ₴
