влевовправо
КР159НТ1Б DIP8 матриця із двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)
- В наличии
- Оптом и в розницу
- Код: КР159НТ1Б DIP8
16,30 ₴
Показать оптовые ценыМинимальная сумма заказа на сайте — 50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
КР159НТ1Б DIP8 матриця із двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)В наличии
16,30 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
КР159НТ1Б DIP8 матрица из двух n-p-n транзисторов
(для построения дифференциальных усилителей)
Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр и типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр.
Микросхема КР159НТ1Б ― Представляет собой сборку из двух биполярных п-р-п транзисторов, выполненна по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Предназначена для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.
Корпус типа 2101.8-1
|
| Основные | |
|---|---|
| Тип микросхемы | Операционный усилитель |
| Тип корпуса | DIP |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип операционного усилителя | Дифференциальный |
| Пользовательские характеристики | |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 16,30 ₴
