Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (28.04)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • IRLB3034PBF   транзистор  MOSFET N-CH 40V, 195A, (1,7mΩ при Vgs =10V) 375W, фото 2
вправо
IRLB3034PBF   транзистор  MOSFET N-CH 40V, 195A, (1,7mΩ при Vgs =10V) 375W, фото 1

IRLB3034PBF  транзистор  MOSFET N-CH 40V, 195A, (1,7mΩ при Vgs =10V) 375W

  • Готово к отправке
  • Код: IRLB3034PBF kh orig

84 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IRLB3034PBF   транзистор  MOSFET N-CH 40V, 195A, (1,7mΩ при Vgs =10V) 375W
IRLB3034PBF  транзистор  MOSFET N-CH 40V, 195A, (1,7mΩ при Vgs =10V) 375WГотово к отправке
84 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

IRLB3034PBF   транзистор MOSFET N-CH 40V, 195A, (1,7mΩ при Vgs =10V) 375W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Найменування приладу: IRLB3034PBF
 Тип транзистора: MOSFET
 Полярність: N
 Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 375 W
 |Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга сток-исток: 40 V
 |Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
 |Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 2.5 V
 |Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 195 A
 Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 175 °C
 Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 108 nC
 trⓘ - Час зростання: 827 ns
 Cossⓘ - Вихідна ємність: 1980 pf
 Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0017 Ohm
 Тип корпусу: TO220AB

 

Основные
Страна производительКитай
Тип транзистораПолевой
Материал корпусаПластик
Максимально допустимое напряжение сток-исток80 В
Максимально допустимый ток стока200 А
Максимальная мощность рассеивания345 Вт
Тип монтажаРучной монтаж
ПроизводительPD
Пользовательские характеристики
Data sheet:скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH100V 80A
Корпус транзистора:ТО220
  • Цена: 84 ₴