влевовправо
HY4008P транзистор MOSFET N-CH 80V, 200A, (3,5mΩ при Vgs =10V) 345W
- Готово к отправке
- Код: HY4008P kh orig
74,60 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
HY4008P транзистор MOSFET N-CH 80V, 200A, (3,5mΩ при Vgs =10V) 345WГотово к отправке
74,60 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
HY4008P транзистор MOSFET N-CH 80V, 200A, (3,5mΩ при Vgs =10V) 345W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Найменування приладу: HY4008P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна потужність, що розсіюється: 345 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 80 V
|Vgs|ⓘ - гранично допустима напруга затвор-витік: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 200 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 175 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвора: 197 nC
trⓘ - Час зростання: 18 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 1029 pf
Rdsⓘ - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпусу: TO220
|
|
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 200 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 345 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 74,60 ₴
