влевовправо
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
- Под заказ
- Код: HY3210P
Отправка с 16 мая 202679,30 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237WПод заказ
79,30 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
HY3210P транзистор MOSFET N-CH 100V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 237W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Транзистор MOSFET HY3210 100V 120A TO-220 N-ch.
Технічні характеристики
Найменування приладу: HY3210P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 237 W
Гранично допустима напруга стік-витік |Uds|: 100 V
Гранично допустиме напруження затвор-витік | Ugs |: 25 V
|порогове напруження включення | УГС (th) |: 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id |: 120 A
Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 120 nC
Час зростання (tr): 35 ns
Вихідна ємність (Cd): 902 pf
Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпусу: TO220FB
|
|
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 237 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 79,30 ₴
