влевовправо
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W
- Готово к отправке
- Код: HY3208P kh orig
55,50 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226WГотово к отправке
55,50 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
HY3208P транзистор MOSFET N-CH 80V, 120A, (8,5mΩ при Vgs =10V) 226W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Наименование прибора: HY3208P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 226 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 443 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220FB
|
|
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 226 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Производитель | PD |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 100V 80A |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 55,50 ₴
