Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (28.04)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • IRFR4620PBF   транзистор  MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK, фото 2
вправо
IRFR4620PBF   транзистор  MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK, фото 1

IRFR4620PBF транзистор MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK

  • В наличии
  • Код: IIRFR4620PBF kh rep

46,60 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IRFR4620PBF   транзистор  MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAK
IRFR4620PBF транзистор MOSFETs 24A 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC 144W, DPAKВ наличии
46,60 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

 

 

Технічний опис IRFR4620PBF IR

  • MOSFET,N-CH 200V 24A DPAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:15A
  • On State Resistance:78mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:144W
  • Transistor Case Style:D-PAK

 

 

IRFR4620PBF — це N-канальний польовий транзистор (MOSFET), який використовується в різних силових і високочастотних застосуваннях. Ось його основні параметри:

Основні характеристики:

Тип транзистора: N-канальний MOSFET

Максимальна напруга стік-витік (VDSS): 100 В

Максимальний струм стоку (ID): 48 А (при температурі корпусу 25°C)

Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): 8.3 мОм (при VGS = 10 В, ID = 30 А)

Максимальна потужність розсіювання (PD): 130 Вт (при температурі корпусу 25°C)

Напруга затвору (VGS): ±20 В


Електричні параметри:

Заряд затвора (QG): 63 нКл (при VGS = 10 В)

Порогова напруга затвора (VGS(th)): 2-4 В

Максимальна температура переходу (TJ): -55°C до +175°C


Особливості:

Низький опір у відкритому стані (низькі втрати потужності).

Висока пропускна здатність струму.

Швидке перемикання.

Енергозберігаючий дизайн.


Корпус:

Тип корпусу: TO-252 (DPAK)

Конфігурація виводів: Стік, затвор, витік.


Цей транзистор широко використовується в джерелах живлення, системах управління двигунами, інверторах і інших високоефективних схемах.

 

Основные
ПроизводительInfineon
Материал корпусаПластик
Страна производительКитай
Тип монтажаРучной монтаж
Максимальная мощность рассеивания38 Вт
Тип транзистораПолевой
Максимально допустимое напряжение сток-исток55 В
Максимально допустимый ток стока11 А
Користувацькi характеристики
Data sheet:скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH100V 14A
Корпус транзистора:ТО220
  • Цена: 46,60 ₴