FGA20N120FTD потужний IGBT транзистор з n-канальною провідністю 1200V, 40A 312W TO-3P
- Готово к отправке
- Код: FGA20N120FTD kh rep
124 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
FGA20N120FTD — це високовольтний біполярний транзистор із ізольованим затвором (IGBT), який використовується в схемах силової електроніки.
Характеристики:
Тип транзистора: N-канальний IGBT
Максимальна напруга колектор-емітер (VCE): 1200 В
Максимальний струм колектора (IC): 40 А (імпульсний до 80 А)
Напруга насичення VCE(sat): 2.2 В (при IC = 20 А)
Максимальна температура переходу (TJ): -55°C до +150°C
Максимальна потужність розсіювання (PD): 312 Вт
Електричні параметри:
Порогова напруга затвора (VGE(th)): 4-6 В
Заряд затвора (QG): 69 нКл (при VGE = 15 В)
Частота комутації: До 50 кГц (залежно від застосування)
Особливості:
Низькі втрати при перемиканні.
Висока швидкість перемикання.
Оптимізований для роботи в інверторах, джерелах безперебійного живлення (UPS), і силових перетворювачах.
Корпус:
Тип корпусу: TO-3P
Конфігурація виводів: Колектор, емітер, затвор.
Цей транзистор часто використовується в силових перетворювачах, інверторах двигунів та високовольтних джерелах живлення.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 312 Вт |
| Тип монтажа | Вставной |
| Користувацькi характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 124 ₴
