КТ315А1 транзистор NPN (100мА 25В) (h21э: 30-120) 0,15W корпус ТО92

КТ315Б1 Транзистори КТ315Б1 кремнієві епітаксійно-планарні структури n-p-n підсилювальні.
Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти.
Випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.
Тип приладу вказується в етикетці, а також корпусі приладу у вигляді літери відповідного типономіналу.
Маса транзистора трохи більше 0,18 р. Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92). Кліматичне виконання: «УХЛ2.1» згідно з ГОСТ 15150-69. Категорія якості: ВТК.
Технічні умови: - приймання «1» ЖК3.365.200ТУ/02. Мінімальний термін зберігання не менше 10 років з дня виготовлення.
Розшифровка маркування біполярного транзистора: КТ315Б1 К - буква, що позначає вихідний матеріал, з якого виготовлений транзистор та його категорію якості, де К - кремнієвий транзистор категорії якості «ОТК»; Т - літера, що визначає клас чи підгрупу напівпровідникових приладів, де Т – біполярний транзистор; 3 - буква, що позначає функціональне призначення, де 3 - транзистор малої потужності - з максимальною потужністю, що розсіюється, не більше 0,3 Вт і граничною частотою коефіцієнта передачі струму або максимальною робочою частотою більше 300 МГц; 15 - число, що вказує на порядковий номер транзистора розробки; Б - літера, що визначає класифікацію транзисторів за параметрами, виготовленими за єдиним технологічним процесом; 1 - цифра, що вказується при модернізації приладів, що призводить до зміни його конструкції або електричних параметрів.
| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Кш, Дб |
| КТ315А1 | n-p-n | 25 | 25 | 100 | 0.15 | 30-120 | 0.5 |
250 |
- |
| КТ315Б | 20 | 20 | 100 | 0.15 | 50-350 | 0.5 |
250 |
- | |
| КТ315В | 40 | 40 | 100 | 0.15 | 30-120 | 0.5 |
250 |
- | |
| КТ315Г | 35 | 35 | 100 | 0.15 | 50-350 | 0.5 |
250 |
- | |
| КТ315Г1 | 35 | 35 | 100 | 0.15 | 100-350 | 0.5 |
250 |
- | |
| КТ315Д | 40 | 40 | 100 | 0.15 | 20-90 | 0.6 |
250 |
- | |
| КТ315Е | 35 | 35 | 100 | 0.15 | 50-350 | 0.6 |
250 |
- | |
| КТ315Ж | 20 | 20 | 50 | 0.1 | 30-250 | 0.01 |
250 |
- | |
| КТ315И | 60 | 60 | 50 | 0.1 | 30 |
0.1 |
250 |
- | |
| КТ315Н | 20 | 20 | 100 | 0.1 | 50-350 | 0.6 |
250 |
- | |
| КТ315Р | 35 | 35 | 100 | 0.1 | 150-350 | 0.5 |
250 |
- |
| Uкбо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
| Uкбои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
| Uкэо | - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
| Iкmax | - Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | - Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
| Pкmax | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
| Pкmax т | - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
| h21э | - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iкбо | - Обратный ток коллектора |
| fгр | - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Кш | - коэффициент шума биполярного транзистора |
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 25 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | СССР |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 3,20 ₴




0.5
250
0.5
250
0.5
250
0.5
250
0.5
250
0.6
250
0.6
250
0.01
250
30
0.1
250
0.6
250
0.5
250