влевовправо
STGW40V60DF N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT 283W
- Готово к отправке
- Код: STGW40V60DF kh rep
187,20 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
STGW40V60DF N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT 283WГотово к отправке
187,20 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
STGW40V60DF Біполярні транзистори з ізольованим затвором N-Ch 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Характеристики:
|
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 283 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| MOSFET N-CH | 500V 20A |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
- Цена: 187,20 ₴
