IRF3805PBF транзистор MOSFET N-CH 55V 220A 3.3mOhm 190nC, TO-220 130W

186,60 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

возврат товара в течение 14 дней по договоренности

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IRF3805PBF транзистор MOSFET N-CH 55V 220A 3.3mOhm 190nC, TO-220 130WГотово к отправке

186,60 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

Описание

Характеристики

Спецификация

Информация для заказа

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Manufacturer:	Infineon
Product Category:	MOSFETs
RoHS:
Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	55 V
Id - Continuous Drain Current:	220 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg - Gate Charge:	190 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	130 W
Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube
Brand:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Height:	15.65 mm
Length:	10 mm
Product Type:	MOSFETs
	1000
Subcategory:	Transistors
Transistor Type:	1 N-Channel
Width:	4.4 mm
Unit Weight:	2 g

Основные
Производитель	Infineon
Страна производитель	Китай
Тип транзистора	Полевой
Материал корпуса	Пластик
Максимально допустимое напряжение сток-исток	55 В
Максимально допустимый ток стока	175 А
Максимальная мощность рассеивания	330 Вт
Тип монтажа	Ручной монтаж
Пользовательские характеристики
Data sheet:	скачать PDF в спецификации
Корпус транзистора:	ТО220