Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (28.04)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • IRF2907ZPBF  транзистор  MOSFET N-CH 75V 170A 4.5mOhm 180nC, TO-220 330W, фото 2
  • IRF2907ZPBF  транзистор  MOSFET N-CH 75V 170A 4.5mOhm 180nC, TO-220 330W, фото 3
  • IRF2907ZPBF  транзистор  MOSFET N-CH 75V 170A 4.5mOhm 180nC, TO-220 330W, фото 4
вправо
IRF2907ZPBF  транзистор  MOSFET N-CH 75V 170A 4.5mOhm 180nC, TO-220 330W, фото 1

IRF2907ZPBF транзистор MOSFET N-CH 75V 170A 4.5mOhm 180nC, TO-220 330W

  • Готово к отправке
  • Код: IRF2907ZPBF kh or

233,20 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IRF2907ZPBF  транзистор  MOSFET N-CH 75V 170A 4.5mOhm 180nC, TO-220 330W
IRF2907ZPBF транзистор MOSFET N-CH 75V 170A 4.5mOhm 180nC, TO-220 330WГотово к отправке
233,20 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Спецификация
Информация для заказа

IRF2907ZPBF  транзистор  MOSFET N-CH 75V 170A 4.5mOhm 180nC, TO-220 330W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFETs  
RoHS:    
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 75 V
Id - Continuous Drain Current: 170 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Qg - Gate Charge: 180 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 330 W
Channel Mode: Enhancement
Packaging: Tube
Brand: Infineon Technologies  
Configuration: Single  
Height: 15.65 mm  
Length: 10 mm  
Product Type: MOSFETs  
1000  
Subcategory: Transistors  
Transistor Type: 1 N-Channel  
Width: 4.4 mm  
Unit Weight: 2 g
  • Цена: 233,20 ₴