влевовправо
CSD19536KCS транзистор MOSFET N-CH 100V 259A 2.7mOhm 118nC, TO-220 375W
- Готово к отправке
- Код: CSD19536KCS kh or
163,30 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
CSD19536KCS транзистор MOSFET N-CH 100V 259A 2.7mOhm 118nC, TO-220 375WГотово к отправке
163,30 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
CSD19536KCS транзистор MOSFET N-CH 100V 259A 2.7mOhm 118nC, TO-220 375W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
| Manufacturer: | Texas Instruments | |
| Product Category: | MOSFETs | |
| RoHS: | ||
| REACH - SVHC: | ||
| Technology: | Si | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package/Case: | TO-220-3 | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
| Id - Continuous Drain Current: | 259 A | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V | |
| Qg - Gate Charge: | 118 nC | |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Tradename: | NexFET | |
| Series: | CSD19536KCS | |
| Packaging: | Tube | |
| Brand: | Texas Instruments | |
| Configuration: | Single | |
| Fall Time: | 5 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 307 S | |
| Height: | 16.51 mm | |
| Length: | 10.67 mm | |
| Product Type: | MOSFETs | |
| Rise Time: | 8 ns | |
| 50 | ||
| Subcategory: | Transistors | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | |
| Width: | 4.7 mm | |
| Unit Weight: | 2 g |
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Texas Instruments |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 259 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 163,30 ₴
