Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (28.04)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • DH150N10  транзистор  MOSFET N-CH 100V 150A TO-220, фото 2
вправо
DH150N10  транзистор  MOSFET N-CH 100V 150A TO-220, фото 1

DH150N10 транзистор MOSFET N-CH 100V 150A TO-220

  • Готово к отправке
  • Код: DH150N10

70 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
DH150N10  транзистор  MOSFET N-CH 100V 150A TO-220
DH150N10 транзистор MOSFET N-CH 100V 150A TO-220Готово к отправке
70 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

DH150N10  транзистор  MOSFET N-CH 100V 150A TO-220 

 

 

Product Category: MOSFET
Manufacturer: China
RoHS: RoHS Compliant Details  
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Id - Continuous Drain Current: 150 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Packaging: Tube
Channel Mode: Enhancement
     
Configuration: Single  
Fall Time: 68 ns  
Forward Transconductance - Min: 90 S  
Height: 9.15 mm  
Length: 10.4 mm  
Pd - Power Dissipation: 312 W  
Rise Time: 90 ns  
     
     
Transistor Type: 1 N-Channel  
Type: MOSFET  
Typical Turn-Off Delay Time: 132 ns  
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns  
Width: 4.6 mm  
Unit Weight: 1,438 g  
 
 
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Страна производительКитай
Тип транзистораПолевой
Материал корпусаПластик
Максимальная мощность рассеивания312 Вт
Тип монтажаРучной монтаж
Пользовательские характеристики
Data sheet:скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH100V 80A
Корпус транзистора:ТО220
  • Цена: 70 ₴