IRG4PF50WDPBF транзистор IGBT N-CH 900V 51A TO-247 200W

Відправка з 05 квітня 2026

414,50 ₴

Показати оптові ціни

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IRG4PF50WDPBF транзистор IGBT N-CH 900V 51A TO-247 200WПід замовлення

414,50 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

Опис

Характеристики

Специфікація

Інформація для замовлення

IRFP 260N транзистор MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 300W

Производитель:	International Rectifier
Категория продукта:	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS:	Подробности
Конфигурация:	Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	2.25 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	51 A
Ток утечки затвор-эмиттер:	100 nA
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Упаковка / блок:	TO-247-3
Упаковка:	Tube
Торговая марка:	International Rectifier
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	51 A
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Вид монтажа:	Through Hole
Pd ― рассеивание мощности:	200 W
Размер фабричной упаковки:	25

Основні
Тип монтажу	Вставний
Максимально допустимий струм стоку	51 А
Виробник	International Rectifier
Максимально допустима напруга стік-витік	900 В
Максимальна потужність розсіювання	200 Вт
Країна виробник	Китай
Тип транзистора	Польовий
Матеріал корпусу	Металокераміка
Користувальницькі характеристики
Data sheet:	завантажити PDF в специфікації
Корпус транзистора:	ТО247
MOSFET N-CH	900V 51A
Цоколь лампи	G4