IRG4PF50WDPBF транзистор IGBT N-CH 900V 51A TO-247 200W

Отправка с 21 мая 2026

421,20 ₴

Показать оптовые цены

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

возврат товара в течение 14 дней по договоренности

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IRG4PF50WDPBF транзистор IGBT N-CH 900V 51A TO-247 200WПод заказ

421,20 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

Описание

Характеристики

Спецификация

Информация для заказа

IRFP 260N транзистор MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 300W

Производитель:	International Rectifier
Категория продукта:	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS:	Подробности
Конфигурация:	Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	2.25 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	51 A
Ток утечки затвор-эмиттер:	100 nA
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Упаковка / блок:	TO-247-3
Упаковка:	Tube
Торговая марка:	International Rectifier
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	51 A
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Вид монтажа:	Through Hole
Pd ― рассеивание мощности:	200 W
Размер фабричной упаковки:	25

Основные
Тип монтажа	Вставной
Максимально допустимый ток стока	51 А
Производитель	International Rectifier
Максимально допустимое напряжение сток-исток	900 В
Максимальная мощность рассеивания	200 Вт
Страна производитель	Китай
Тип транзистора	Полевой
Материал корпуса	Металлокерамика
Пользовательские характеристики
Data sheet:	скачать PDF в спецификации
Корпус транзистора:	ТО247
MOSFET N-CH	900V 51A
Цоколь лампи	G4