КТ201ГМ транзистор n-p-n (20мА 10В) 0,15W (ТО92)

КТ201ГМ транзистор n-p-n (20мА 10В) 0,15W (ТО92)

КТ201ГМ Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ и нормированным КТ201ДМ коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип транзистора указывается на боковой поверхности корпуса в виде сокращенного обозначения:    - КТ201АМ - 201А,    - КТ201БМ - 201Б,    - КТ201ВМ - 201В,    - КТ201ГМ - 201Г,    - КТ201ДМ - 201Д. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия:   - приемка «1» СБ0.336.040ТУ. Импортный аналог: 2N2932. Основные технические характеристики транзистора КТ201ГМ: • Структура транзистора: n-p-n •  Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 70...210; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ201ВМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В -  буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. Характеристики Задать вопрос Предприятие ВПК России Технические характеристики транзисторов КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ мА мА В В В мВт В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С КТ201АМ n-p-n 20 100 20 20 20 150 20…60 - 0,5 3 >10 - 20 - - -45…+85 КТ201БМ n-p-n 20 100 20 20 20 150 30…90 - 0,5 3 >10 - 20 - - -45…+85 КТ201ВМ n-p-n 20 100 10 10 10 150 30…90 - 0,5 3 >10 - 20 - - -45…+85 КТ201ГМ n-p-n 20 100 10 10 10 150 70…210 - 0,5 3 >10 - 20 - - -45…+85 КТ201ДМ n-p-n 20 100 10 10 10 150 30…90 - 0,5 3 >10 15 20 - - -45…+85 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом  выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • КШ - коэффициент шума транзистора. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.