влевовправо
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3
- В наличии
- Код: 120M1045 sokh
1 105,50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3В наличии
1 105,50 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon транзистор N-MOSFET 52 A 1200V 114W TO247-3
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
| Manufacturer: | Infineon | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Technology: | SiC | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package/Case: | TO-247-3 | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 59 mOhms | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 7 V, + 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V | |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC | |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Pd - Power Dissipation: | 228 W | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Tradename: | CoolSiC | |
| Packaging: | Tube | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Configuration: | Single | |
| Fall Time: | 13 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 11.1 S | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Rise Time: | 32 ns | |
| Series: | AIMW120R045 | |
| 240 | ||
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns | |
| Part # Aliases: | AIMW120R045M1 SP002472666 | |
| Unit Weight: |
6 g |
СПЕЦИФІКАЦІЯ
Показати схожі продукти (7452)
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора
N-MOSFET
Технологія
CoolSiC™, SiC
Полярність
польовий
Напруга сток-витік
1,2кВ
Струм стоку
36А
Струм стоку в імпульсному режимі
130А
Розсіювана потужність
114Вт
Корпус
TO247
Напруга затвор-витік
-7...20В
Опір у відкритому стані
75мОм
Монтаж
THT
Вид каналу
збагачений
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Страна производитель | Китай |
| Тип монтажа | Вставной |
| Максимальная мощность рассеивания | 305 Вт |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Користувацькi характеристики | |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 1 105,50 ₴
- Способ упаковки: полета 30шт.
