влевовправо
FGA50T65 (або G50EF5) транзистор IGBT 650 V 100 A 240W
- В наличии
- Код: FGA50T65
257,40 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
FGA50T65 (або G50EF5) транзистор IGBT 650 V 100 A 240WВ наличии
257,40 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа
FGA50T65 транзистор IGBT 650 V 100 A 240W
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
| Product Category: | IGBT Transistors | |
| RoHS: | Details | |
| Technology: | Si | |
| Package/Case: | TO-247 | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 25 V | |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A | |
| Pd - Power Dissipation: | 240 W | |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | |
| Series: | FGH50T65UPD | |
| Packaging: | Tube | |
| Brand: | onsemi / Fairchild | |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA | |
| Product Type: | IGBT Transistors | |
| 30 | ||
| Subcategory: | IGBTs | |
| Unit Weight: | 6,390 g |
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Максимальная мощность рассеивания | 240 Вт |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
- Цена: 257,40 ₴
