40N120 FL3 (onsemi) мощный IGBT транзистор с n-канальной проводимостью 1200V, 40A 348W TO247

210,30 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

возврат товара в течение 14 дней по договоренности

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

40N120 FL3 (onsemi) мощный IGBT транзистор с n-канальной проводимостью 1200V, 40A 348W TO247Готово к отправке

210,30 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

Описание

Характеристики

Информация для заказа

40N120 FL3 (onsemi) Transistors

IGBT (интегральный биполярный транзистор с изолированным затвором) с n-канальной проводимостью

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Manufacturer:	onsemi
Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details
Technology:	SiC
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-247-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	60 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	56 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Qg - Gate Charge:	106 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	348 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	onsemi
Product Type:	MOSFET
	30
Subcategory:	MOSFETs
Unit Weight:	12,117 g

Основные
Тип монтажа	Вставной
Производитель	ON Semiconductor
Максимально допустимый ток стока	80 А
Максимальная мощность рассеивания	348 Вт
Материал корпуса	Металлокерамика
Тип транзистора	Биполярный
Користувацькi характеристики
Data sheet:	скачать PDF в спецификации