
КТ630В транзистор NPN (1А 150В) (h21Э 40…120) (ТО5) Ni КТ-3 (ТО-39)
- В наличии
- Код: КТ630В Ni
69,80 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
КТ630В транзистор NPN (1А 150В) (h21Э 40…120) (ТО5) Ni КТ-3 (ТО-39)

КТ630В
Транзисторы КТ630В кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.146 ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BSW68, BSW68A, 2N3020, 2SC510, MMBT5550.
Основные технические характеристики транзистора КТ630В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 150 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (90В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ630А | n-p-n | 1 | 2 | 120 | 120 | 7 | 0,8 | 40…120 | <0,3 | <1 | <100 | - | >50 | <15 | <65 | 150 | -60…+125 |
| КТ630Б | n-p-n | 1 | 2 | 120 | 120 | 7 | 0,8 | 80…240 | <0,3 | <1 | <100 | - | >50 | <15 | <65 | 150 | -60…+125 |
| КТ630В | n-p-n | 1 | 2 | 150 | 150 | 7 | 0,8 | 40…120 | <0,3 | <1 | <100 | - | >50 | <15 | <65 | 150 | -60…+125 |
| КТ630Г | n-p-n | 1 | 2 | 100 | 100 | 5 | 0,8 | 40…120 | <0,3 | <1 | <100 | - | >50 | <15 | <65 | 150 | -60…+125 |
| КТ630Д | n-p-n | 1 | 2 | 60 | 60 | 5 | 0,8 | 80…240 | <0,3 | <1 | <100 | - | >50 | <15 | <65 | 150 | -60…+125 |
| КТ630Е | n-p-n | 1 | 2 | 60 | 60 | 5 | 0,8 | 160…480 | <0,3 | <1 | <100 | - | >50 | <15 | <65 | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 4 А |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Техническое описание: | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 69,80 ₴


