IRFBG 30 транзистор MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220 125W

70 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

возврат товара в течение 14 дней по договоренности

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IRFBG 30 транзистор MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220 125WВ наличии

70 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

Описание

Характеристики

Информация для заказа

N-CHANNEL 1000V ― 5.0 OHM ― 3.1A ― TO-220 POWERMESH MOSFET

Производитель:	Vishay
Категория продукта:	МОП-транзистор
RoHS:	Нет
Торговая марка:	Vishay Semiconductors
Id ― непрерывный ток утечки:	3.1 A
Vds ― напряжение пробоя сток-исток:	1000 V
Rds Вкл ― сопротивление сток-исток:	5.0 Ohms
Полярность транзистора:	N-Channel
Vds ― напряжение пробоя затвор-исток:	20 V
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Pd ― рассеивание мощности:	125 W
Вид монтажа:	Through Hole
Упаковка / блок:	TO-220-3
Упаковка:	Tube
Канальный режим:	Enhancement
Конфигурация:	Single
Время спада:	20 ns
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Время нарастания:	25 ns
Размер фабричной упаковки:	50
Типичное время задержки выключения:	89 ns

Основные
Производитель	Vishay Intertechnology
Материал корпуса	Пластик
Страна производитель	Китай
Тип монтажа	Ручной монтаж
Максимальная мощность рассеивания	125 Вт
Тип транзистора	Полевой
Максимально допустимое напряжение сток-исток	1000 В
Максимально допустимый ток стока	3.1 А
Користувацькi характеристики
Data sheet:	скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH	1000V 3.1A
Корпус транзистора:	ТО220