IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74W

56 ₴

Показать оптовые цены

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

возврат товара в течение 14 дней по договоренности

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74WГотово к отправке

56 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

Описание

Характеристики

Спецификация

Информация для заказа

IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 125W

N-CHANNEL 800V ― 3.0 OHM ― 4.1A ― TO-220 POWERMESH MOSFET

Производитель:	Vishay
Категория продукта:	МОП-транзистор
RoHS:	Нет
Торговая марка:	Vishay Semiconductors
Id ― непрерывный ток утечки:	4.1 A
Vds ― напряжение пробоя сток-исток:	600 V
Rds Вкл ― сопротивление сток-исток:	3.0 Ohms
Полярность транзистора:	N-Channel
Vds ― напряжение пробоя затвор-исток:	20 V
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Pd ― рассеивание мощности:	125 W
Вид монтажа:	Through Hole
Упаковка / блок:	TO-220-3
Упаковка:	Tube
Канальный режим:	Enhancement
Конфигурация:	Single
Время спада:	30 ns
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Время нарастания:	33 ns
Размер фабричной упаковки:	50
Типичное время задержки выключения:	82 ns

Основные
Тип монтажа	Ручной монтаж
Максимально допустимый ток стока	4.1 А
Производитель	Vishay Intertechnology
Максимально допустимое напряжение сток-исток	800 В
Максимальная мощность рассеивания	125 Вт
Страна производитель	Китай
Тип транзистора	Полевой
Материал корпуса	Пластик
Пользовательские характеристики
Data sheet:	скачать PDF в спецификации
Корпус транзистора:	ТО220
MOSFET N-CH	800V 4.1A