IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74W

55,40 ₴

Показати оптові ціни

Мінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 74WГотово до відправки

55,40 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

Опис

Характеристики

Специфікація

Інформація для замовлення

IRFBE 30 транзистор MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220 125W

N-CHANNEL 800V ― 3.0 OHM ― 4.1A ― TO-220 POWERMESH MOSFET

Виробник:	Vishay
Категорія продукту:	МОП-транзистор
RoHS:	Немає
Торгова марка:	Vishay Semiconductors
Id — безперервний струм витоку:	4.1 A
Vds — напруга пробою стік-виток:	600 V
Rds Вмик — опір стік-виток:	3.0 Ohms
Полярність транзизора:	N-Channel
Vds — напруга пробою затвор-висток:	20 V
Максимальна робоча температура:	+ 150 C
Pd — розсіювання потужності:	125 W
Вид монтажа:	Through Hole
Паковання/блок:	TO-220-3
Паковання:	Tube
Канальний режим:	Enhancement
Конфігурація:	Single
Час спаду:	30 ns
Мінімальна робоча температура:	- 55 C
Час наростання:	33 ns
Розмір фабричного паковання:	50
Типовий час затримки вимкнення:	82 ns

Основні
Тип монтажу	Ручний монтаж
Максимально допустимий струм стоку	4.1 А
Виробник	Vishay Intertechnology
Максимально допустима напруга стік-витік	800 В
Максимальна потужність розсіювання	125 Вт
Країна виробник	Китай
Тип транзистора	Польовий
Матеріал корпусу	Пластик
Користувальницькі характеристики
Data sheet:	завантажити PDF в специфікації
Корпус транзистора:	ТО220
MOSFET N-CH	800V 4.1 A