2Т208М транзистор кремнієвий PNP (0,3А. 60В) (h21э: 40-120) Au (ТО18) (військове приймання по якості
- В наличии
- Код: 2Т208М
93,60 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
2Т208М транзистор PNP (0,3А. 45В) (h21э: 80-240) Au (ТО18)
2Т208М
Транзисторы 2Т208М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «ВП» ЮФ3.365.035ТУ;
- приемка «ОС» ЮФ3.365.035ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N1475.
Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т208М:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 40... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 1,3 Ом
Характеристики транзисторов 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| 2Т208А | p-n-p | 150 | 300 | 20 | 20 | 20 | 200 | 20…60 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208Б | p-n-p | 150 | 300 | 20 | 20 | 20 | 200 | 40…120 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208В | p-n-p | 150 | 300 | 20 | 20 | 20 | 200 | 20…240 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208Г | p-n-p | 150 | 300 | 30 | 30 | 20 | 200 | 20…60 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208Д | p-n-p | 150 | 300 | 30 | 30 | 20 | 200 | 40…120 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208Е | p-n-p | 150 | 300 | 30 | 30 | 20 | 200 | 20…240 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208Ж | p-n-p | 150 | 300 | 45 | 45 | 20 | 200 | 20…60 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208И | p-n-p | 150 | 300 | 45 | 45 | 20 | 200 | 40…120 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208К | p-n-p | 150 | 300 | 45 | 45 | 20 | 200 | 20…240 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208Л | p-n-p | 150 | 300 | 60 | 60 | 20 | 200 | 20…60 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
| 2Т208М | p-n-p | 150 | 300 | 60 | 60 | 20 | 200 | 40…120 | 0,3 | 1 | 1 | >5 | - | 35 | 20 | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 20 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.6 А |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | СССР |
- Цена: 93,60 ₴
