Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247, фото 2
  • MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247, фото 3
  • MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247, фото 4
вправо
MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247, фото 1

MBQ60T65PES 650V 60A MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode - 425W TO247

  • Готово к отправке
  • Код: MBQ60T65PES

175,20 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
MBQ60T65PES 650V 60A  MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode  - 425W TO247
MBQ60T65PES 650V 60A MAGNACHIP N-Channel транзистор із ізольованим затвором IGBT + Diode - 425W TO247Готово к отправке
175,20 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Характеристики
Информация для заказа

Найменування: MBQ60T65PES

Маркування: 60T65PES

Тип керуючого каналу: N-Channel

Максимальна потужність, що розсіюється (Pc): 428

Гранично-допустима напруга колектор-емітер (Uce): 650

Напруга насичення колектор-емітер (Ucesat): 1.85

Максимально допустима напруга емітер-затвор (Ueg): 20

Максимальний постійний струм колектора Ic): 100

Максимальна температура переходу (Tj): 175

Час наростання: 54

Ємність колектора (Cc), pf: 270

Корпус: TO247

Технічні характеристики

Виробник MAGNACHIP
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема з'єднання Одиночний
Макс. напруга колектор-емітер 650 V
Напруга затвор - емітер ±20 V
Макс. ток колектора (25°C) 100 А
Макс. ток колектора (100°C) 60 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 60 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 30 А
Мощность рассеяния при 25°C 428 Вт
Рабочая температура -40°C ... +175°C
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт
Основные
Тип транзистораБиполярный
Материал корпусаМеталлокерамика
Максимально допустимое напряжение сток-исток650 В
Максимально допустимый ток коллектора60 А
Максимально допустимый ток стока100 А
Максимальная мощность рассеивания425 Вт
Тип монтажаВставной
Пользовательские характеристики
Data sheet:скачать PDF в спецификации
  • Цена: 175,20 ₴