
КТ872Г транзистор кремнієвий NPN (8А 700В) 100W
- В наличии
- Код: КТ872Г
67,70 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР КТ872А

КТ872Г
Транзисторы КТ872Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в оконечных каскадах строчной развертки телевизоров.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-43-2 (ТО-218).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.681ТУ/02.
Основные технические характеристики транзистора КТ872Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 7 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 6;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 125 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 7500 нс

Технические характеристики транзисторов КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ872Г:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК. Т. max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мА | мА | мА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ872А | n-p-n | 8 | 15 | 700 | - | 6 | 100 | >6 | <1 | <1 | <10 | <1 | - | 125 | - | 150 | -60…+125 |
| КТ872Б | n-p-n | 8 | 15 | 700 | - | 6 | 100 | >6 | <5 | <1 | <10 | <1 | - | 125 | - | 150 | -60…+125 |
| КТ872В | n-p-n | 8 | 15 | 600 | - | 6 | 100 | >6 | <1 | <1 | <150 | <1 | - | 125 | - | 150 | -60…+125 |
| КТ872Г | n-p-n | 8 | 15 | 700 | - | 6 | 100 | >6 | <1 | <1 | <10 | <1 | - | 125 | - | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 700 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 15 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 100 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| NPN | POWER TRANSISTOR |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 67,70 ₴


