КТ504А
Транзисторы КТ504А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.682ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N3439, 2N5092, 40321S, 40321L.

Основные технические характеристики транзистора КТ504А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ504А, КТ504Б, КТ504В:

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.