1Т115Б (ГТ115Б) малопотужний германієвий сплавний транзистор PNP структури

В наличии
Код: 1Т115Б

14,10 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 50 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

+380 (99) 648-45-68
Vodafone (Viber)
+380 (93) 703-79-79
Life:) (Viber)
+380 (94) 490-70-51
Intertelecom мобільний
+380 (44) 360-67-07
Укртелеком міський (SIP)

+380 (67) 979-41-03Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
+380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
+380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
+380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
+380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
Олександр Олексійович Сохань
вул. Ушинського, 4. Ринок "Радіолюбитель". Торгові місця: 594-598. Наш торговий майданчик має локацію у внутрішньому дворі. Гарний орієнтир - поруч з нами банкомат та термінал Приватбанку., Киев, Украина
ledauto1@gmail.com
+380679794103
+380679794103
+380679794103
https://car-led.org
Viber+380679794103
Telegram+380679794103
WhatsApp+380679794103
Viber+380937037979

возврат товара в течение 14 дней по договоренности

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

1Т115Б (ГТ115Б) малопотужний германієвий сплавний транзистор PNP структуриВ наличии

14,10 ₴

+380 (67) 979-41-03

Kyivstar Viber WhatsApp Telegram

+380 (99) 648-45-68
Vodafone (Viber)
+380 (93) 703-79-79
Life:) (Viber)
+380 (94) 490-70-51
Intertelecom мобільний
+380 (44) 360-67-07
Укртелеком міський (SIP)

Описание

Характеристики

Информация для заказа

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

ГТ115Б

маломощный германиевый сплавной транзистор

Тип прибора	Структу- -ра	P_{К max} P^_К,тmax P^*_К,иmax мВт	*f_грf^_h21бf^_h21эf^_maxМГц*	*U_КБОU^_КЭR U_КЭОВ	U_ЭБОВ	*I_{K max}I^_K,иmaxмА**	*I _КБОI^_КЭR I_КЭОмкА	*h_21э,h^_21Э**	*С_кС^_12э пФ**	*r_КЭнасr_БЭнасОм**	*К_{ш дб}r^_{б Ом}P^_вых	*τ_Кпс t_расt_выкл t_пкнс*	Корпус
Тип прибора	Структу- -ра	P_{К max} P^_К,тmax P^*_К,иmax мВт	*f_грf^_h21бf^_h21эf^_maxМГц*	*U_КБОU^_КЭR U_КЭОВ	U_ЭБОВ	*I_{K max}I^_K,иmaxмА**	*I _КБОI^_КЭR I_КЭОмкА	*h_21э,h^_21Э**	*С_кС^_12э пФ**	*r_КЭнасr_БЭнасОм**	*К_{ш дб}r^_{б Ом}P^_вых	*τ_Кпс t_расt_выкл t_пкнс*	Корпус
ГТ115А	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	20-80	-	-	-	-
ГТ115Б	p-n-p	50	≥1*	30	20	30	≤40	20-80	-	-	-	-
ГТ115В	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	60-150	-	-	-	-
ГТ115Г	p-n-p	50	≥1*	30	20	30	≤40	60-150	-	-	-	-
ГТ115Д	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	125-250	-	-	-	-

P_{К max-}максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
P^*_{К,т max-}_{постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом}
P^**_{К,и max-}максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора

f_гр - граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f^*_h21б - предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общей базой
f^**_h21э-предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f^***_max-максимальная частота генерации

U_КБО - пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U^*_КЭR - пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер
U**_КЭО - пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы

U_ЭБО-пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

I_{K max -}максимально допустимый постоянный ток коллектора
I^*_{K,и max -}максимально допустимый импульсный ток коллектора

I _{КБО -}обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряженииколлектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
I^*_{КЭR -}обратный ток коллектор - эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер
I**_{КЭО -}обратный ток коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы

h_21э,- статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером

h^*_21Э - статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме большого сигнала для схем с общим эмиттером

С_к- емкость коллекторного перехода

r_КЭнас- сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
r*_БЭнас - сопротивление насыщения между базой и эмиттером

К_ш - коэффициент шума транзистора
r^*_б - сопротивление базы
P^**_вых - выходная мощность транзистора

τ_К - постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
t*_рас - время рассасывания
t**_выкл- время выключения

Основные
Тип транзистора	Биполярный
Тип биполярного транзистора	P-N-P
Материал корпуса	Металлостекло
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер	15 В
Максимально допустимый ток коллектора	0.5 А
Тип монтажа	Ручной монтаж
Пользовательские характеристики
Исполнение	Дискретное
Страна происхождения	СССР

Цена: 14,10 ₴

День	Время работы	Перерыв
Понедельник	Выходной
Вторник	10:00 - 16:00
Среда	10:00 - 16:00
Четверг	10:00 - 16:00
Пятница	10:00 - 18:00
Суббота	10:00 - 16:00
Воскресенье	Выходной

1Т115Б (ГТ115Б) малопотужний германієвий сплавний транзистор PNP структури

Условия возврата и обмена

Сроки возврата

ГТ115Б