1Т115Б (ГТ115Б) малопотужний германієвий сплавний транзистор PNP структури

В наявності
Код: 1Т115Б

13,80 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 50 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

+380 (99) 648-45-68
Vodafone (Viber)
+380 (93) 703-79-79
Life:) (Viber)
+380 (94) 490-70-51
Intertelecom мобільний
+380 (44) 360-67-07
Укртелеком міський (SIP)

+380 (67) 979-41-03Viber WhatsApp Telegram
+380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
+380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
+380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
+380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
Олександр Олексійович Сохань
вул. Ушинського, 4. Ринок "Радіолюбитель". Торгові місця: 594-598. Наш торговий майданчик має локацію у внутрішньому дворі. Гарний орієнтир- Державний прапор України, а також поруч з нами банкомат та термінал Приватбанку., Київ, Україна
ledauto1@gmail.com
+380679794103
+380679794103
+380679794103
https://car-led.org
Viber+380679794103
Telegram+380679794103
WhatsApp+380679794103
Viber+380937037979

повернення товару протягом 14 днів за домовленістю

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

1Т115Б (ГТ115Б) малопотужний германієвий сплавний транзистор PNP структуриВ наявності

13,80 ₴

+380 (67) 979-41-03

Viber WhatsApp Telegram

+380 (99) 648-45-68
Vodafone (Viber)
+380 (93) 703-79-79
Life:) (Viber)
+380 (94) 490-70-51
Intertelecom мобільний
+380 (44) 360-67-07
Укртелеком міський (SIP)

Характеристики

Інформація для замовлення

Зображення слугують тільки для ознайомлення
Див. специфікації продукту

ГТ115Б

малопотужний німецький сплавний транзистор

Тип прибора	Структу -ра	P_{К max} P^_К,тmax P^*_{К, max} мВт	*f_грf^_h21бf^_h21эf^_maxМГц*	*U_КБОU^_КЕR U_КЕОВ	U_ЕБОВ	*I_{K max}I^_K,иmaxмА**	*I _КБОI^_КЕR I_КЕОмкА	*h_21э,h^_21Э**	*З_доЗ^_12Е пФ**	*r_КЕнасr_БЕнасОм**	*К_{ш дб}r^_{б Ом}P^_вих	*τ_Кпс t_расt_выкл t_пкнс*	Корпус
Тип прибора	Структу -ра	P_{К max} P^_К,тmax P^*_{К, max} мВт	*f_грf^_h21бf^_h21эf^_maxМГц*	*U_КБОU^_КЕR U_КЕОВ	U_ЕБОВ	*I_{K max}I^_K,иmaxмА**	*I _КБОI^_КЕR I_КЕОмкА	*h_21э,h^_21Э**	*З_доЗ^_12Е пФ**	*r_КЕнасr_БЕнасОм**	*К_{ш дб}r^_{б Ом}P^_вих	*τ_Кпс t_расt_выкл t_пкнс*	Корпус
ГТ115А	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	20-80	-	-	-	-
ГТ115Б	p-n-p	50	≥1*	30	20	30	≤40	20-80	-	-	-	-
ГТ115В	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	60-150	-	-	-	-
ГТ115Г	p-n-p	50	≥1*	30	20	30	≤40	60-150	-	-	-	-
ГТ115Д	p-n-p	50	≥1*	20	20	30	≤40	125-250	-	-	-	-

P_{К max-}максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора
P^*_{К,т max-}_{постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням}
P^**_{К,и max-}максимально допустима імпульсна розсіювана потужність колектора

f_гр - гранічна частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером
f^*_h21б — передня частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальною базою
f^**_h21э-Попередня частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером
f^***_max-максимальна частота генерації

U_КБО - пробивна напруга колектор-база у разі заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера
U^*_КЕR - пробивна напруга колектор-емітер за заданого струмі колектора та заданому (звичайному) опору в ланцюгу база-емітер
U**_КЕО - пробивна напруга колектор-емітер за заданого струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази

U_ЕБО-пробивна напруга емітер-база у разі заданого зворотного струму емітера та розімкнутого кола колектора

I_{K max -}максимально допустимий постійний струм колектора
I^*_{K,и max -}максимально допустимий імпульсний струм колектора

I _{КБО -}зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напругиколектор-база та розімкнутому виведенню емітера
I^*_КЕRзворотний струм колектор — евіттер у разі заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер
I**_КЕОзворотний струм колектор — евіттер заданого зворотній напрузі колектор-емітер і розімкнутому виведенню бази

h_21э,- статичний коефіцієнт передавання струму транзизора в режимі малого сигналу для схем із загальним імітером

h^*_21Э - статичний коефіцієнт передавання струму транзизора в режимі великого сигналу для схем із загальним імітером

З_до- місткість колекторного переходу

r_КЕнас- опір насичення між колектором і емітером
r*_БЕнас - опір насиченню між базою й евітером

К_ш - коефіцієнт шуму транзизора
r^*_б - опір бази
P^**_вих - вихідна потужність транзизора

τ_К - постійний час ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті
t*_рас - час розсмоктування
t**_выкл- час вимкнення

Основні
Тип транзистора	Біполярний
Тип біполярного транзистора	P-N-P
Матеріал корпусу	Металоскло
Максимально допустима напруга колектор-емітер	15 В
Максимально допустимий струм колектора	0.5 А
Тип монтажу	Ручний монтаж
Користувальницькі характеристики
Виконання	Дискретне
Країна походження	СРСР

Ціна: 13,80 ₴

День	Години роботи	Перерва
Понеділок	Вихідний
Вівторок	10:00 - 16:00
Середа	10:00 - 16:00
Четвер	10:00 - 16:00
Пʼятниця	10:00 - 17:00
Субота	10:00 - 16:00
Неділя	Вихідний

1Т115Б (ГТ115Б) малопотужний германієвий сплавний транзистор PNP структури

Умови повернення та обміну

Терміни повернення

ГТ115Б