П308М транзистор NPN (120мА 120В) (h21э 30…90) (ТО126)
- В наличии
- Код: П308М
11,80 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 50 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
П308М
Транзисторы П308М кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 0,8 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» ЖК3.365.059ТУ1.
Технические характеристики транзисторов П308М:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК. макс. | IК. и. макс. | UКБО макс. | UКЭR макс. | UЭБО макс. | РК. макс | h21э | UКБ | IЭ | UКЭ нас. | IКБО | fгp. | ||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
| П308М | n-p-n | 30 | 120 | 120 | 120 | - | - | 30…90 | 20 | 10 | - | 3 | 20 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
• UкэR макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uэбо макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
• Iэ - ток эмиттера транзистора.
• Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 300 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.3 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 10 Вт |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Производитель | ЗАО Кремний Маркетинг г. Брянск |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 11,80 ₴
