МП21 Транзистори германієві сплавні p-n-p перемикаючі низькочастотні малопотужні Ni
- В наличии
- Код: МП21
11,70 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 50 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
МП21
Транзисторы МП21 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: ЩМ3.365.039ТУ.
Технические характеристики транзисторов МП21, МП21А, МП21Б, МП21В, МП21Г, МП21Г, МП21Д, МП21Е:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК. макс. | IК. и. макс. | UКЭR макс. | UЭБО макс. | РК. макс. | h21Э | UКБ | IЭ | UКЭ нас. | IКБО | fгp. | ||
| мА | мА | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | |||
| МП21 | p-n-p | 100 | 300 | 35 | 50 | 150 | 20...60 | 5 | 25 | 0,3 | 50 | 1 |
| МП21А | p-n-p | 100 | 300 | 35 | 50 | 150 | 50...150 | 5 | 25 | 0,3 | 50 | 1 |
| МП21Б | p-n-p | 100 | 300 | 40 | 50 | 150 | 20...80 | 5 | 25 | 0,3 | 50 | 0,5 |
| МП21В | p-n-p | 100 | 300 | 40 | 50 | 150 | 20…100 | 5 | 25 | 0,3 | 50 | 1,5 |
| МП21Г | p-n-p | 100 | 300 | 60 | 50 | 150 | 20...80 | 5 | 25 | 0,3 | 50 | 1 |
| МП21Д | p-n-p | 100 | 300 | 60 | 50 | 150 | 60…200 | 5 | 25 | 0,3 | 50 | 0,7 |
| МП21Е | p-n-p | 100 | 300 | 70 | 50 | 150 | 30…150 | 5 | 25 | 0,3 | 50 | 0,7 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
• Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Iэ - ток эмиттера транзистора.
• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.
• Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Страна производитель | ссср |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | СССР |
- Цена: 11,70 ₴
