
ГТ309В германієвий транзистор PNP структури диффузійно-сплавний високочастотний
- В наличии
- Код: ГТ309В SOKH
15,50 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 50 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные высокочастотные маломощные: ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е. Предназначены для применения в схемах усиления высокочастотных сигналов. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,5 грамма.
Электрические параметры.
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=5 мА, не менее | |
| ГТ309А, ГТ309Б | 120 МГц |
| ГТ309В, ГТ309Г | 80 МГц |
| ГТ309Д, ГТ309Е | 40 МГц |
| Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=5 В, IЭ=5 мА, ƒ=20 МГц, не менее | |
| ГТ309А, ГТ309Б | 6 |
| ГТ309В, ГТ309Г | 4 |
| ГТ309Д, ГТ309Е | 2 |
| Постоянная времени цепи обратной связи при UКЭ=5 В, IЭ=5 мА, ƒ=5 МГц, не более | |
| ГТ309А, ГТ309Б | 500 пс |
| ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е | 1000 пс |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=5 мА | |
| при Т=19,85°С | |
| ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д | 20-70 |
| ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е | 60-180 |
| при Т=54,85°С | |
| ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д | 20-140 |
| ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е | 60-380 |
| при Т=-20,15°С | |
| ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д | 16-70 |
| ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е | 30-180 |
| Входное сопротивление в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более | 38 Ом |
| Выходная проводимость в схеме с общей базой при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не более | 5 мкСм |
| Коэффициент шума при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=1,6 МГц ГТ309Б, ГТ309Г, не более | 6 дБ |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, ƒ=5 МГц, не более | 10 пФ |
| Обратный ток коллектора при UКБ=5 В, не более | |
| при Т=19,85°С | 5 мкА |
| при Т=54,85°С | 120 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤10 кОм | 10 В |
| Постоянный ток коллектора | 10 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность | |
| при Т=19,85°С | 50 мВт |
| при Т=54,85°С | 15 мВт |
| Температура перехода | 69,85°С |
| Общее тепловое сопротивление | 1 К/мВт |
| Температура окружающей среды | От -40,15 до 54,85°С |
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 15 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Страна происхождения | СССР |
- Цена: 15,50 ₴

