IRF1010N транзистор MOSFET N-CH 55V 72A TO-220 180W

54,10 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней по договоренности

IRF1010N транзистор MOSFET N-CH 55V 72A TO-220 180WГотово к отправке

54,10 ₴

Описание

Характеристики

Спецификация

Информация для заказа

IRF1010N MOSFET MOSFET, 55V, 72A, 11 mOhm, 80 nC Qg, TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Manufacturer:	International Rectifier
Product Category:	MOSFET
Id ― Continuous Drain Current:	72 A
Vds ― Drain-Source Breakdown Voltage:	55 V
Rds On ― Drain-Source Resistance:	11 mOhms
Transistor Polarity:	N-Channel
Vgs ― Gate-Source Breakdown Voltage:	20 V
Qg ― Gate Charge:	80 nC
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Pd ― Power Dissipation:	180 W
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Brand:	International Rectifier
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Fall Time:	48 ns
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Rise Time:	76 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	39 ns

Основные
Тип транзистора	Полевой
Максимальная мощность рассеивания	180 Вт
Страна производитель	Китай
Максимально допустимый ток стока	72 А
Производитель	International Rectifier
Материал корпуса	Пластик
Максимально допустимое напряжение сток-исток	55 В
Пользовательские характеристики
Data sheet:	скачать PDF в спецификации
Корпус транзистора:	ТО220