Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
влево
  • КТ644А транзистор кремнієвий PNP (1А 60В) (h21Э 40...120) 1W (ТО126), фото 2
вправо
КТ644А транзистор кремнієвий PNP (1А 60В) (h21Э 40...120) 1W (ТО126), фото 1

КТ644А транзистор кремнієвий PNP (1А 60В) (h21Э 40...120) 1W (ТО126)

  • Готово к отправке
  • Код: КТ644А

11,50 ₴

Компания временно не принимает заказы

возврат товара в течение 14 дней по договоренности
КТ644А транзистор кремнієвий PNP (1А 60В) (h21Э 40...120) 1W (ТО126)
КТ644А транзистор кремнієвий PNP (1А 60В) (h21Э 40...120) 1W (ТО126)Готово к отправке
11,50 ₴
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

КТ644А
Транзисторы КТ644А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-27-2.
Технические условия: аА0.336.268 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ644А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,6 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,7 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ644А, КТ644Б, КТ644В, КТ644Г:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭ0 max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
КТ644А p-n-p 0,6 1 60 60 5 1 40…120 <1,6 <0,1 <0,1 - >200 <50 - 150 -60…+125
КТ644Б p-n-p 0,6 1 60 60 5 1 100…300 <1,6 <0,1 <0,1 - >200 <50 - 150 -60…+125
КТ644В p-n-p 0,6 1 60 60 5 1 40…120 <1,6 <0,1 <0,1 - >200 <50 - 150 -60…+125
КТ644Г p-n-p 0,6 1 60 60 5 1 100…300 <1,6 <0,1 <0,1 - >200 <50 - 150 -60…+125


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Основные
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистораP-N-P
Материал корпусаПластик
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер60 В
Максимально допустимый ток коллектора1 А
Максимальная мощность рассеивания1 Вт
Тип монтажаРучной монтаж
Пользовательские характеристики
Страна производительсрср
ИсполнениеДискретное
Страна происхожденияСССР
Техническое описаниескачать PDF в спецификации
  • Цена: 11,50 ₴