Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (28.04)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • IPD70R600P  PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3), фото 2
  • IPD70R600P  PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3), фото 3
вправо
IPD70R600P  PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3), фото 1

IPD70R600P PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3)

  • В наличии
  • Код: IPD70R600P

35,90 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IPD70R600P  PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3)
IPD70R600P PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3)В наличии
35,90 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

IPD70R600P  PowerTransistor 8,5 A - 700 V IMOSFET (TO-252-3)

Корпус: DPAK

 

Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFET
RoHS:  Details  
Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: TO-252-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 700 V
Id - Continuous Drain Current: 8.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 490 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V, + 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Qg - Gate Charge: 10.5 nC
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 43.1 W
Channel Mode: Enhancement
Tradename: CoolMOS
Packaging: Cut Tape
Packaging: MouseReel
Packaging: Reel
Configuration: Single  
Height: 2.3 mm  
Length: 6.5 mm  
Series: CoolMOS P7  
Transistor Type: 1 N-Channel  
Width: 6.22 mm  
Brand: Infineon Technologies  
Fall Time: 23 ns  
Moisture Sensitive: Yes  
Product Type: MOSFET  
Rise Time: 5.5 ns  
Factory Pack Quantity: 2500  
Subcategory: MOSFETs  
Typical Turn-Off Delay Time: 63 ns  
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns  
Part # Aliases: IPD70R600P7S SP001491636  
Unit Weight: 340 mg
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Страна производительКитай
Тип транзистораПолевой
Максимальная мощность рассеивания43 Вт
Тип монтажаПайка волной
Пользовательские характеристики
Data sheet:скачать PDF в спецификации
MOSFET N-CH600V 10A
Корпус транзистора:ТО220
  • Цена: 35,90 ₴