КТ603И транзистор NPN (600mA 30В) Au (ТО5) (h21Э >20)
- В наличии
- Код: КТ603И
186,10 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
КТ603И транзистор NPN (600mA 30В) Au (ТО5)
КТ603И
Транзисторы КТ603И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Транзисторы КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: И93.365.005 ТУ
Основные технические характеристики транзистора КТ603И:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом
Характеристики транзисторов КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ603А | n-p-n | 300 | 600 | 30 | 30 | 3 | 0,5 | 10…80 | <1 | <10 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603Б | n-p-n | 300 | 600 | 30 | 30 | 3 | 0,5 | >60 | <1 | <10 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603В | n-p-n | 300 | 600 | 15 | 15 | 3 | 0,5 | 10…80 | <1 | <5 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603Г | n-p-n | 300 | 600 | 15 | 15 | 3 | 0,5 | >60 | <1 | <5 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603Д | n-p-n | 300 | 600 | 10 | 10 | 3 | 0,5 | 20…80 | <1 | <1 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603Е | n-p-n | 300 | 600 | 10 | 10 | 3 | 0,5 | 60…200 | <1 | <1 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
| КТ603И | n-p-n | 300 | 600 | 30 | 30 | 3 | 0,5 | >20 | <1 | <10 | <3 | - | >200 | <15 | <40 | 120 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Материал корпуса | Металлостекло |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 60 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.4 А |
| Пользовательские характеристики | |
| Страна производитель | ссср |
| Исполнение | Дискретное |
| Техническое описание: | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 186,10 ₴
