Кошик
1310 відгуків
Надійний продавець Prom.ua
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Зараз компанія не може швидко обробляти замовлення і повідомлення, оскільки за її графіком вихідний день

Електронні радіокомпоненти. LED освітлення для оселі, офісу та автомобіля
+380443606707
+380679794103
+380996484568
Кошик
влево
  • КТ932Б транзистор PNP (2А 80В) 20W, фото 2
  • КТ932Б транзистор PNP (2А 80В) 20W, фото 3
  • КТ932Б транзистор PNP (2А 80В) 20W, фото 4
вправо
КТ932Б транзистор PNP (2А 80В) 20W

КТ932Б транзистор PNP (2А 80В) 20W

  • В наявності
  • Код: КТ932Б

35,58 грн.

Мінімальна сума замовлення — 30 грн.

Купити
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
  • Графік роботи
  • Контакти
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
КТ932Б транзистор PNP (2А 80В) 20W
КТ932Б транзистор PNP (2А 80В) 20WВ наявності
35,58 грн.
Купити
+380679794103
Viber WhatsApp Telegram
  • +380996484568
    Vodafone (Viber)
  • +380443606707
    Intertelecom (CDMA)
  • +380937037979
    Life:) (Viber)
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення

 

 

КТ932Б
Транзисторы КТ932Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.311 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ932Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 60 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1,5 мА (80В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 30;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ932А, КТ932Б, КТ932В:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭ0 max UКБ0 max UЭБ0 max РК. Т. max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт   В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С
КТ932А p-n-p 2 - 80 80 4,5 20 15…80 <1,5 - - <1,5 >40 <300 - 150 -60…+100
КТ932Б p-n-p 2 - 60 60 4,5 20 30…120 <1,5 - - <1,5 >60 <300 - 150 -60…+100
КТ932В p-n-p 2 - 40 40 4,5 20 >40 <1,5 - - <1,5 - <300 - 150 -60…+100


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Основні
Тип транзистораБиполярный
Тип біполярного транзистора  P-N-P
ВиконанняДискретное
Матеріал корпусуМеталлокерамика
Максимально допустима напруга колектор-база80.0 (В)
Максимально допустимий струм колектора2.0 (А)
Максимальна потужність розсіювання20.0 (Вт)
Тип монтажуРучной монтаж
Дополнительные характеристики
NPNPOWER TRANSISTOR
Страна происхожденияСССР
  • Ціна: 35,58 грн.