Корзина
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 10:00 ближайшего рабочего дня (сегодня)

CAR-LED. Радіокомпоненти та LED освітлення.
+380 (67) 979-41-03
+380 (99) 648-45-68
Корзина
влево
  • ГТ321Г p-n-p транзистор германієвий, фото 2
вправо
ГТ321Г p-n-p транзистор германієвий, фото 1

ГТ321Г p-n-p транзистор германієвий

  • Под заказ
  • Код: ГТ321Г SOKH
clockОтправка с 10 июня 2026

12 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 50 ₴

+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
ГТ321Г p-n-p транзистор германієвий
ГТ321Г p-n-p транзистор германієвийПод заказ
12 ₴
+380 (67) 979-41-03
Kyivstar Viber WhatsApp Telegram
  • +380 (99) 648-45-68
    Vodafone (Viber)
  • +380 (93) 703-79-79
    Life:) (Viber)
  • +380 (94) 490-70-51
    Intertelecom мобільний
  • +380 (44) 360-67-07
    Укртелеком міський (SIP)
Описание
Характеристики
Спецификация
Информация для заказа

 

 

  • Транзистор B1-B2/Iк
    /мА

    МГц
    Cк/Uк
    пф/В
    Cэ/Uэ
    пф/В
    Rб*Cк
    псек

    нс
    Uкэ/(Iк/Iб)
    В/(мА/мА)
    Iко
    мкА
    Uкб
    В
    Uкэ/R
    В/кОм
    Uэб
    В
    Iкм/Iкн
    мА/мА

    мВт
    Пер
    ГТ321Г 20- 60/500 60 80/10 600/0.5 600   2.5(700/140) 500 45 40/0.1 2.5 200/2000 160 P-N-P
  • Область применения: для применения в схемах переключения

  • Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора ГТ321Г

    Обозначение: Параметр
    B1-B2/Iк /мА статический коэффициент передачи тока
    Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока
    Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется
    Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
    Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
    tр нс  
    Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб)
    Iко мкА обратный ток коллектора
    Uкб В максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
    Uкэ/R В/кОм максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R)
    Uэб В максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
    Iкм/Iкн мА/мА предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе
    Pк мВт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе
    Пер  

    * Если приводится два значения параметра через черточку, это означает минимальное и максимальное значение.
    Значение со звездочкой (*) приводится для импульсного режима.
    Параметр, помеченный буквой "т" означают, что приводится типовое значение.
Основные
Тип транзистораБиполярный
Тип биполярного транзистораP-N-P
Материал корпусаМеталлостекло
Тип монтажаРучной монтаж
Пользовательские характеристики
Страна производительссср
ИсполнениеДискретное
Страна происхожденияСССР
  • Цена: 12 ₴