влевовправо
КР159НТ1В DIP8 матриця з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: КР159НТ1В DIP8
12,40 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 100 ₴
+380 (67) 979-41-03
Viber WhatsApp Telegram
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
КР159НТ1В DIP8 матриця з двох n-p-n транзисторів (для побудови диференціальних підсилювачів)В наявності
12,40 ₴
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
КР159НТ1В DIP8 матрица из двух n-p-n транзисторов
(для построения дифференциальных усилителей)
Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр.
| Наименование | КР159НТ1В DIP8 Микросхема |
| Функциональный тип | транзисторная матрица |
| Типоразмер корпуса отечественный | 2101.8-1 |
| Типоразмер корпуса | DIP8 |
| Торговая марка | ГАО ТОНДИ-ЭЛЕКТРОНИКА (Таллинн) |
| Страна происхождения | СССР |
| Вид приемки | "1" |
| Материал корпуса | пластмасса |
| Наличие паспорта -этикетки | есть |
| Вид упаковки | пластиковый бокс |
| Состояние упаковки | заводская |
| Кратность отгрузки | 1 |
| Цвет изделия | черный |
| Габаритные размеры L*W*H | 9х9х6 |
| Длина корпуса | 9 mm |
| Ширина корпуса | 6 mm |
| Высота корпуса | 3 mm |
| Количество выводов или контактов | 8 |
| Длина выводов | 7 mm |
| Количество выводов или контактов | 8 |
| Масса изделия, гр. | 0,48 |
| Транслитерация | Microcircuit KR159NT1B |
| Интервал рабочих температур | от +85 до -60 °С |
| Макс. допустимое напряжение эммитер-база | 4 V |
| Макс. допустимое напряжение коллектор-база | 20 V |
| Макс. допустимый импульсный ток коллектора | 40 mA |
| Макс. допустимый постоянный ток коллектора | 10 mA |
| Максимальная мощность рассеивания | 50 mW |
| Примечание | Дата выпуска не указана |
Микросхема КР159НТ1В ― Представляет собой сборку из двух биполярных п-р-п транзисторов, выполненна по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Предназначена для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Корпус типа 2101.8-1
| Основні | |
|---|---|
| Тип мікросхеми | Операційний підсилювач |
| Тип операційного підсилювача | Диференціальний |
| Тип корпусу | DIP |
| Матеріал корпусу | Пластик |
| Користувальницькі характеристики | |
| Технічний опис | завантажити PDF в специфікації |
- Ціна: 12,40 ₴
