ГТ403И транзистор германієвий PNP (1.25А 80В) (h21Э >30)4W
- Под заказ
- Код: ГТ403И
Отправка с 20 июня 202632,90 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 50 ₴
- +380 (99) 648-45-68Vodafone (Viber)
- +380 (93) 703-79-79Life:) (Viber)
- +380 (94) 490-70-51Intertelecom мобільний
- +380 (44) 360-67-07Укртелеком міський (SIP)
ГТ403И
Транзисторы ГТ403И германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.036 ТУ.
Характеристики транзисторов ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | кГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| ГТ403А | p-n-p | 1,25 | - | 30 | 45 | 20 | 4 | 20...60 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
| ГТ403Б | p-n-p | 1,25 | - | 30 | 45 | 20 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
| ГТ403В | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 5 | 20...60 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
| ГТ403Г | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
| ГТ403Д | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 30 | 4 | 50...150 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
| ГТ403Е | p-n-p | 1,25 | - | 45 | 60 | 20 | 5 | >30 | 0,5 | 50 | 50 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
| ГТ403Ж | p-n-p | 1,25 | - | 60 | 80 | 20 | 4 | 20...60 | 0,5 | 70 | 70 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
| ГТ403И | p-n-p | 1,25 | - | 60 | 80 | 20 | 4 | >30 | 0,5 | 70 | 70 | 8 | - | - | - | 85 | -55…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Материал корпуса | Металлокерамика |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 32,90 ₴
