КТ632Б1 транзистор PNP (350мА 120В) (h21э: 50-450) 0,3W (ТО92)
- Нет в наличии
- Код: КТ632Б1 NVI
6,40 ₴
КТ632Б1
Транзисторы КТ632Б1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях.
Транзистор КТ632Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Технические условия: аА0.336.432 ТУ.
Технические характеристики транзисторов КТ632Б1:
| Тип транзистора |
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max |
IК. И. max |
UКЭR max (UКЭ0 max) |
UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) |
h21Э | UКЭ нас. |
IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ632Б1 | p-n-p | 0,1 | 0,35 | 120 | 120 | 5 | 0,35 | 50…450 | <0,8 | <1 | <100 | <10 | >200 | <8 | <50 | 150 | -40…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
| Основные | |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Материал корпуса | Пластик |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 40 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.2 А |
| Коэффициент шума | 10 дБ |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Пользовательские характеристики | |
| Исполнение | Дискретное |
| Техническое описание | скачать PDF в спецификации |
- Цена: 6,40 ₴
