2SC5200 Bipolar Transistors NPN - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- Готово к отправке
- Код: 2SC5200 kh rep
80,30 ₴
Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
Product Attribute
Attribute Value
Search Similar
Manufacturer:
Toshiba
Product Category:
Bipolar Transistors - BJT
RoHS:
Mounting Style:
Through Hole
Package/Case:
TO-3P-3
Transistor Polarity:
NPN
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
230 V
Collector- Base Voltage VCBO:
230 V
Emitter- Base Voltage VEBO:
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:
0.4 V
Maximum DC Collector Current:
15 A
Gain Bandwidth Product fT:
30 MHz
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
Series:
DC Current Gain hFE Max:
160
Brand:
Toshiba
Continuous Collector Current:
15 A
DC Collector/Base Gain hFE Min:
35
Pd - Power Dissipation:
150 W
Product Type:
BJTs - Bipolar Transistors
25
Subcategory:
Transistors
Unit Weight:
7 g
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 230 В |
| Производитель | Philips |
| Максимально допустимый ток коллектора | 15 А |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Пользовательские характеристики | |
| Collector-Emitter Voltage | 700V |
| NPN | POWER TRANSISTOR |
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| Ток коллектора | 8А |
| Корпус транзистора: | ТО247 |
- Цена: 80,30 ₴
