Кошик
714 відгуків
Акційна ціна алюмінієвого профілю для LEDових стрічок!Придбати
Електронні радіокомпоненти. LED освітлення для оселі, офісу та автомобіля
+380 (67)-979-41-03
+380
44
360-67-07
+380
99
648-45-68
Корзина
  • picture 1
  • picture 2
  • picture 3
  • picture 4
  • picture 5
  • picture 6
  • picture 7
  • picture 8
  • picture 9
  • picture 10
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10

Біполярні PNP & NPN

Биполярный транзистор состоит из трёх различным образом легированных полупроводниковых слоёв: эмиттера E, базы B и коллектора C. В зависимости от типа проводимости этих зон различаютNPN (эмиттер − n-полупроводник, база − p-полупроводник, коллектор − n-полупроводник) и PNP транзисторы. К каждой из зон подведены проводящие невыпрямляющие контакты. База расположена между эмиттером и коллектором и слабо-легирована, поэтому имеет большое омическое сопротивление. Общая площадь контакта база-эмиттер значительно меньше площади контакта коллектор-база (это делается по двум причинам — большая площадь перехода коллектор-база увеличивает вероятность захвата неосновных носителей заряда из базы в коллектор и, так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включен с обратным смещением, что увеличивает тепловыделение, способствует отводу тепла от коллектора), поэтому биполярный транзистор общего вида является несимметричным устройством (нецелесообразно путем изменения полярности подключения поменять местами эмиттер и коллектор и получить в результате аналогичный исходному биполярный транзистор — инверсное включение).

1 2